附 录 S
（规范性附录）
缺陷测高方法（二）
端部最大回波法测定缺陷自身高度

S.1 一般要求
S.1.1 使用端部最大回波法测定缺陷自身高度时，应尽可能采用直射波法。
S.1.2 灵敏度应根据需要确定，但应使噪声水平不超过显示屏满刻度的10%。
S.1.3 原则上应选用折射角为45°（K1）、标称频率为2MHz～5MHz的探头为宜。
S.1.4 使用聚焦探头时，其声束会聚范围等参数应满足所探测缺陷的要求。
S.2 端部最大回波法
对于附录Q波形模式IIIa、波形模式IIIb和波形模式Ⅳ的缺陷，在测定缺陷自身高度时，应在相对垂直于缺陷长度的方向进行前后扫查。由于缺陷端部的形状不同，扫查时应适当转动探头，以便能清晰地测出端部回波，当存在多个杂乱波峰时，应把能确定出缺陷最大自身高度的回波确定为缺陷端部回波，如图S.1所示。测定时应以缺陷两端的峰值回波A和A1作为缺陷的上下端点。这种测定缺陷自身高度的方法为端部最大回波法。
 
注：当端部回波达到最大时即可测出缺陷的两边上下两端点A和A1。
图S.1 用端部最大波幅法测缺陷自身高度
S.3 时基线校准
在CSK-IA试块上校准时基线。
S.4 测定
S.4.1 埋藏缺陷测定
如图S.2 a）所示，探头前后移动，确定缺陷的上下端部最大回波位置，按式（S.1）求出缺陷自身高度ΔH 。也可用深度 1∶1调整时基线，直接测定。
ΔH = (W2 −W1) cosθ ···································· （S.1）
式中W1和W2 分别为缺陷上、下端部峰值回波处距入射点的声程，θ为探头折射角。
 
图S.2 缺陷高度的测定方法
S.4.2 表面开口缺陷的测定
如图S.2 b）所示，探测出缺陷端部的峰回波，按式（S.2）和式（S.3）求出缺陷自身高度ΔH 。
缺陷开口位于检测面一侧时［见图S.2 b）右半图］：
ΔH =W cosθ ···································· （S.2）
式中W 为缺陷端部峰值回波处距探头入射点的声程，θ为探头折射角。
缺陷开口位于检测面的另一侧时［见图S.2 b）左半图］：
ΔH = t −W ⋅ cosθ ···································· （S.3）
式中W 为缺陷端部峰值回波处距探头入射点的声程，θ 为探头折射角，t 为工件厚度。
























附 录 T
（规范性附录）
缺陷测高方法（三）
-6dB法测定缺陷自身高度


T.1 一般要求
T.1.1 使用-6dB法测定缺陷自身高度时，应尽可能采用直射波法。
T.1.2 灵敏度应根据需要确定，但应使噪声水平不超过显示屏满刻度的10%。
T.1.3 原则上应选用K1、标称频率为2MHz～5MHz的探头为宜。
T.1.4 使用聚焦探头时，其声束会聚范围等参数应满足所探测缺陷位置的要求。
T.2 -6dB法
T.2.1 -6dB法适用于波形模式Ⅱ类型的缺陷。
T.2.2 使探头垂直于缺陷长度方向移动，注意观察动态波形包络的形态变化。若回波高度变化很小，可将回波迅速降落前的波高值，作为-6dB法测高的基点，即图T.1中的A和A1点。
 
图T.1 用-6dB法测缺陷自身高度
T.3 时基线校准
在CSK-IA试块上校准时基线。
T.4 测定
将回波高度调到显示屏满刻度的80%～100%，移动声束使之偏离缺陷边缘，直至回波高度降低6dB。根据已知的探头入射点位置、声束折射角和声程长度，标出缺陷的边缘位置。
T.4.1 埋藏缺陷的测定
缺陷自身高度：
ΔH = (W2 −W1 ) ⋅ cosθ ····································· （T.1）
式中W1和W2分别为缺陷上、下边缘位置至入射点的声程，θ为探头折射角。
T.4.2 表面开口缺陷的测定
T.4.2.1 当缺陷开口位于检测面一侧时
缺陷自身高度：
ΔH =W ⋅ cosθ ····································· （T.2）
式中:
W ——缺陷下边缘位置至入射点的声程，mm；
θ ——探头折射角，（°）。
T.4.2.2 当缺陷开口位于检测面另一侧时
缺陷自身高度：
ΔH = t −W ⋅ cosθ ····································· （T.3）
式中：
t ——壁厚，mm；
W ——缺陷上边缘位置至入射点的声程，mm；
θ ——探头折射角，（°）。