两种复合材料声面抗相近时有无缺陷的波形比较

1）纵波单晶直探头在基材侧检测

图5-34存在小脱接示意图

)参考图5-33，若无脱接则无缺陷波F，只有组合始波T与底波B1。

2)参考图5-34，若存在面积小于声场面积的脱接，则在组合始波T之后底波B1之前不

敬出现多次毗连的缺陷反射波F，底波B1降低。

）参考图535，若存在面积大于声场面积的完全脱接，则组合始诚下；
图5-37存在小脱接示意图
1）参考图5.36，在覆材侧检测时若无脱接则组合始诚工之后只有底波、
2）参考图537，若存在面积小于声场面积的脱接则底波B的下降，缺陷反对核P。
3）参考图538，如存在面积大：营场面积的脱接则缺治波F多次连，并解润队
波T之后，组合始波T宽度增加，底波消失。
2.两种复合材料声阻抗相差较大时有无缺陷的波形比较
即使复合良好也会出现界面回波，这时缺陷波判别困难。
图5-39无脱接示意图图5-40存在小脱接示意图图5-41存在大脱接示疆
1)参考图5-39，无脱接存在时，图5-39所示组合始波T之后出现底波B1，界面反量
2)参考图5-40，存在面积小于声场面积脱接时，图5-40所示组合始波T之后出现照
B1，界面反射波与缺陷波在底波之前毗连，且幅度明显增加，底波B1的幅度降低。
3)参考图5-41，存在面积大于声场面积脱接时，图5-41所示组合始波T之后出现照
1)参考图5-42，无脱接存在时，图5-42所示组合始波T之后出现底波B1，界面饭罐
2）.参考图5-43，存在面积小于声场面积脱接时，图543所示组合始波T之后那；
缺陷波幅度与宽度增加，底波B1幅度降低。
3）.含考图5.4，存在面积大于高场面积脱接时，图54所示组合始波了之后进

）参考图535，若存在面积大于声场面积的完全脱接，则组合始诚下；
图5-37存在小脱接示意图
1）参考图5.36，在覆材侧检测时若无脱接则组合始诚工之后只有底波、
2）参考图537，若存在面积小于声场面积的脱接则底波B的下降，缺陷反对核P。
3）参考图538，如存在面积大：营场面积的脱接则缺治波F多次连，并解润队
波T之后，组合始波T宽度增加，底波消失。
2.两种复合材料声阻抗相差较大时有无缺陷的波形比较
即使复合良好也会出现界面回波，这时缺陷波判别困难。
图5-39无脱接示意图图5-40存在小脱接示意图图5-41存在大脱接示疆
1)参考图5-39，无脱接存在时，图5-39所示组合始波T之后出现底波B1，界面反量
2)参考图5-40，存在面积小于声场面积脱接时，图5-40所示组合始波T之后出现照
B1，界面反射波与缺陷波在底波之前毗连，且幅度明显增加，底波B1的幅度降低。
3)参考图5-41，存在面积大于声场面积脱接时，图5-41所示组合始波T之后出现照
1)参考图5-42，无脱接存在时，图5-42所示组合始波T之后出现底波B1，界面饭罐
2）.参考图5-43，存在面积小于声场面积脱接时，图543所示组合始波T之后那；
缺陷波幅度与宽度增加，底波B1幅度降低。
3）.含考图5.4，存在面积大于高场面积脱接时，图54所示组合始波了之后进